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　電路的模擬也很重要。 Spice是在晶體管一級(jí)對(duì)電特性進(jìn)行建模的最常用的工具但是在深亞微米設(shè)計(jì)師有許多局限性。Celestry 公司已經(jīng)研制出一種基于晶體管的仿真器UltraSim，它可以在合理的時(shí)間內(nèi)按計(jì)算能力提供達(dá)到Spice精度的結(jié)果，以解決深亞微米的問題。為了有效地對(duì)信號(hào)完整性問題進(jìn)行驗(yàn)證，首先應(yīng)該準(zhǔn)確地建立影響完整性問題的模型然后用工具進(jìn)行寄生參數(shù)提取和驗(yàn)證，對(duì)于建模，有二維，準(zhǔn)三維和三維模型三種。二維模型的特點(diǎn)是適合于大計(jì)算量的參數(shù)提取，因此適合于全芯片的提取，三維模型最準(zhǔn)確但是完全用三維模型將耗費(fèi)大量的時(shí)間，為此只有在對(duì)一些關(guān)鍵網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行提取時(shí)才使用三維模型。

　　在集成電路布線中，鋁被廣泛使用，其布線工藝較為簡(jiǎn)單。1997年9月，IBM公司率先推出一種稱為CMOS 7S的新技術(shù)，該技術(shù)在集成電路設(shè)計(jì)中采用銅代替鋁作為外部導(dǎo)電材料，使電路布線的尺寸更加微小，芯片處理邏輯運(yùn)算的能力更強(qiáng)。1997年，IBM公司發(fā)布了可用于集成電路生產(chǎn)的銅布線工藝。1998年，AMD公司便開始向銅布線工藝轉(zhuǎn)移，這在當(dāng)時(shí)是相當(dāng)冒險(xiǎn)的。如今工藝材料每4到5年就會(huì)出現(xiàn)一次變化，首先是銅，后來是低k電介質(zhì)陸續(xù)進(jìn)入生產(chǎn)工藝。而在鋁的時(shí)代，這種顯著的變化每10到20年才會(huì)出現(xiàn)一次。這使工廠的基礎(chǔ)設(shè)施必須能以較低的成本快速適應(yīng)新的材料。采用低k電介質(zhì)技術(shù)遇到的困難更多。低k電介質(zhì)技術(shù)的引入相對(duì)落后了4到6年。這一技術(shù)的延遲引入使銅布線的很多優(yōu)勢(shì)沒有發(fā)揮出來。早期的130nm工藝的邏輯設(shè)計(jì)有9層銅，與鋁布線工藝是一樣。其中很大一部分都用來補(bǔ)償二氧化硅的高電容。